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参数目录42078
> IRL6342TRPBF MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
型号:
IRL6342TRPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRL6342TRPBF PDF
标准包装
1
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
9.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
14.6 毫欧 @ 9.9A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.1V @ 10µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1025pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
SO-8
包装
剪切带 (CT)
其它名称
IRL6342TRPBFCT
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